供應信息
壓敏電阻采購，就選源林電子，自有研發團隊，滿足個性化需求
ＺｎＯ 壓敏電阻的微觀結構分析發現，形成的四個主要 成分是 ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D?。常?。圖 中也指明了組分存在的部位，安防系統壓敏電阻，還存在一些用現有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而?。裕椋希病?和?。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用，而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現出在電性上絕 緣的三維網絡。 燒結形成的?。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲嫵蓡渭儭。冢睿稀∈蔷哂芯€性 Ｉ－Ｕ 特性的非化學計量 ｎ 型半導 體。進入 ＺｎＯ 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態。相關的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅
源林電子壓敏電阻免費取樣，一個電話搞定！
壓敏電阻采購，就選源林電子，廠貨直供
氧化鋅壓敏電阻的缺陷：
ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的
VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，壓敏電阻，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，電動機保護壓敏電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。
源林電子壓敏電阻選型電話就在圖片中，歡迎來電！
壓敏電阻采購，就選源林電子，防雷壓敏電阻，自有工廠
壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的電流為1mA時所對應的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標準，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預擊穿區和擊穿區轉折點的一個參數，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產品為0.1mA）直流電流通過時，產品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。
由于壓敏電阻型號太多，每個客戶的個性化需求不一，想了解更多溫度傳感器的信息，請撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！
您好，歡迎蒞臨源林電子，歡迎咨詢...
 觸屏版二維碼 |
